欢迎来到霆硕科技平台
问题答疑
精品课程
全部课程
公开课
新闻公告
数图资源
更多
精品课程
全部课程
公开课
云课直播
新闻公告
数图资源
智汇大讲堂
扫码下载Android
扫码下载iOS
教师登录
学生登录
精品课程
全部课程
公开课
云课直播
新闻公告
数图资源
智汇大讲堂
教师登录
学生登录
首页 - 课程列表 - 课程详情
返回
微纳加工技术
课程类型:
选修课
主讲教师:
钱鹤
课程来源:
清华大学
建议学分:
0.00分
课程编码:
ayxtzx1956
课程介绍
课程目录
教师团队
第一章节 课程介绍
s
课程介绍
(17分钟)
第二章节 微纳工艺综述和超净环境
s
微纳工艺综述和超净环境
(21分钟)
第三章节 集成电路中的材料和单晶硅的制备
s
第一小节 集成电路中的材料
(10分钟)
s
第二小节 单晶硅的特性及生长方法
(19分钟)
第四章节 薄膜制备技术
s
第一小节 薄膜制备技术简介
(23分钟)
s
第二小节 化学气相淀积技术
(23分钟)
s
第三小节 氧化和原子层淀积技术
(26分钟)
s
第四小节 外延技术
(13分钟)
s
第五小节 溅射、蒸发和电镀技术
(26分钟)
第五章节 图形化工艺
s
第一小节 光刻工艺综述
(10分钟)
s
第二小节 光刻工艺详解
(11分钟)
s
第三小节 光刻系统及其关键参数
(17分钟)
s
第四小节 光刻工艺中的常见问题及解决方法
(19分钟)
s
第五小节 提高光刻精度的办法及其他先进光刻技术
(19分钟)
第六章节 图形转移技术
s
第一小节 湿法腐蚀和干法刻蚀
(24分钟)
s
第二小节 干法刻蚀中的若干问题
(16分钟)
第七章节 掺杂
s
第一小节 扩散工艺综述
(17分钟)
s
第二小节 影响扩散的因素
(13分钟)
s
第三小节 离子注入工艺介绍
(19分钟)
s
第四小节 影响离子注入的因素
(18分钟)
第八章节 CMOS集成电路工艺模块
s
第一小节 浅槽隔离
(16分钟)
s
第二小节 自对准硅化物
(16分钟)
s
第三小节 High-K介质和金属栅
(11分钟)
s
第四小节 大马士革工艺
(9分钟)
第九章节 良率与封装技术
s
第一小节 集成电路良率定义
(15分钟)
s
第二小节 封装和封装驱动力
(15分钟)
第十章节 工艺集成
s
第一小节 典型的CMOS制造工艺流程
(16分钟)
s
第二小节 CMOS scaling 中的若干问题
(16分钟)
第十一章节 微机电系统
s
第一小节 MEMS制造工艺
(9分钟)
s
第二小节 体型微加工技术
(12分钟)
s
第三小节 表面型的微加工技术
(8分钟)
s
第四小节 MEMS工艺实例
(11分钟)
<script id="qd3009003893ac7e99a3534e8c64f80ffe1223154102" src="https://wp.qiye.qq.com/qidian/3009003893/ac7e99a3534e8c64f80ffe1223154102" charset="utf-8" async defer></script>